Acta Crystallographica Section A

Foundations of Crystallography

Volume 70 (2014)


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Al-Asadi, A., p. 354
Allen, A., p. 338
Aroyo, M. I., p. 126, 300
Authier, A., p. 300

Baake, M., p. 472
Bak, J. M., p. 72
Basilio, A. M., p. 12
Becker, J., p. 39
Billinge, S. J. L., p. 3
Bindzus, N., p. 39
Bjerg, L., p. 39
Blessing, R. H., p. 518
Boullay, P., p. 448

Chateigner, D., p. 448
Chen, J. P. J., p. 143, 154
Coppens, P., p. 291, 514

de Boissieu, M., p. 308
Dechant, P.-P., p. 162
de la Flor, G., p. 126
De Las Peñas, M. L. A. N., p. 12
Dippel, A.-C., p. 39
Dittrich, B., p. 309
Domagala, S., p. 72
Dominiak, P. M., p. 483
Dong, Y.-H., p. 364
Dykeman, E. C., p. 417

Edwards, A., p. 309
Edwards, A. J., p. 483
Eon, J.-G., p. 217

Fabbiani, F. P. A., p. 309
Fan, H., p. 239
Ferraris, G., p. 106
Fewster, P. F., p. 257
Fournier, B., p. 291, 514
Frandsen, B., p. 3

Glazer, A. M., p. 300
Gopalan, V., p. 24, 373
Götze, F., p. 472
Grabowsky, S., p. 309, 483
Gratias, D., p. 229
Gu, Y., p. 239
Gutmann, M. J., p. 72

He, Y., p. 239
Helliwell, J. R., p. 92
Henn, J., p. 248, 499
Hornfeck, W., p. 441
Hoser, A. A., p. 72
Huang, M., p. 373
Huck, C., p. 472
Hyde, S. T., p. 319

Iversen, B. B., p. 39

Jakobi, T., p. 472
Janner, A., p. 168
Jarzembska, K. N., p. 72
Jayatilaka, D., p. 483

Kaganer, V. M., p. 457
Kaminski, R., p. 72
Keef, T., p. 162
Kolosov, S. I., p. 64
Kozakowski, B., p. 181
Kuczera, P., p. 181
Kuhn, P., p. 441

Leggas, D., p. 354
Levine, L., p. 338
Lin, Z., p. 239
Litvin, D. B., p. 24, 138, 373, 382
Liu, P., p. 364
Liu, Z.-C., p. 364
Lock, N., p. 39
Loyola, M. L., p. 12
Lübben, J., p. 309
Lutterotti, L., p. 448

Ma, L., p. 338
Makal, A., p. 72
Malinska, M., p. 72
Marzouki, M. A., p. 348
McColm, G., p. 95, 317
Meindl, K., p. 248, 499
Millane, R. P., p. 143, 154
Moreira de Oliveira Jr, M., p. 217
Morgenroth, W., p. 309

Nespolo, M., p. 106, 199, 317, 348
Nishibori, E., p. 483

Orobengoa, D., p. 126

Pavlov, K. M., p. 64
Perez-Mato, J. M., p. 126
Portier, R., p. 229
Punegov, V. I., p. 64
Pytlik, L., p. 181

Quiquandon, M., p. 229

Ramsden, S. J., p. 319
Ratcliff, W., p. 1
Robins, V., p. 319

Sabelfeld, K. K., p. 457
Saint-Grégoire, P., p. 283
Samoylovich, M., p. 186
Sanjuan-Szklarz, W. F., p. 72
Santoso, E. B., p. 12
Schulte, E., p. 203
Sheldrick, G. M., p. 309
Shirokov, V. B., p. 49
Sicard, L., p. 448
Smirnov, M., p. 283
Souvignier, B., p. 106, 348
Spackman, M. A., p. 483
Spence, J. C. H., p. 143, 154
Straasø, T., p. 39
Strzalka, R., p. 181
Sugimoto, K., p. 483
Szajewska, M., p. 358

Talanov, V. M., p. 49
Talis, A., p. 186
Tasci, E. S., p. 126
Tsodikov, O. V., p. 354
Twarock, R., p. 162, 417

VanLeeuwen, B. K., p. 24, 373
Volkmann, C., p. 309

Wahlberg, N., p. 39
Wang, J., p. 239
Wardman, J., p. 162
Woinska, M., p. 483
Wolny, J., p. 181
Wondratschek, H., p. 126
Wozniak, K., p. 72, 483
Wuttke, J., p. 429

Yang, X., p. 3
Yao, D., p. 239

Zappa, E., p. 417
Zhang, F., p. 338
Zhang, T., p. 239
Zhang, T.-Y., p. 364
Zhou, L., p. 364


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