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COMMUNICATIONS
ISSN: 2056-9890

Une surstructure de α-Ge, type diamant, induite par un dopage d'anti­moine

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aCentro de Microscopia Electrónica, Universidad Complutense, 28040 Madrid, Spain, bUniversité Houari-Boumedienne, Faculté de Chimie, Laboratoire Sciences des Matériaux, BP 32 El-Alia 16111 Bab-Ezzouar, Algeria, cCentre de Diffractométrie X, Sciences Chimiques de Rennes, UMR 6226 CNRS Université de Rennes 1, Campus de Beaulieu, Avenue du Général Leclerc, France, et dDepartomento Inorgánica, Facultad C.C. Químicas, Universidad Complutense, 28040 Madrid, Spain
*Courier électronique: hammoudi.lamia@yahoo.com

Edité par A. Van der Lee, Université de Montpellier II, France (Reçu le 28 février 2017; accepté le 30 mars 2017; online 4 avril 2017)

Single crystals of anti­mony-doped germanium, Ge1–xSbx+0.01 (x ≃ 0.0625), were grown by chemical transport reaction. The alloy crystallizes as a superstructure of diamond-type α-Ge. All atoms in the asymmetric unit lie on special positions and are characterized by strong covalent bonds. The anti­mony atoms substitute for one germanium atom at full occupancy at Wyckoff position 4a (site symmetry -43m), and are also at an adjacent tetra­hedral inter­stitial site with partially occupation (16%) at position 4c (or 4d) (site symmetry -43m). The structural model does not show close Sb⋯Sb contacts, and suggests that the inter­stitial anti­mony atoms move between the two adjacent tetra­hedral sites.

1. Contexte chimique

Le germanium a connu un regain d'attention ces dernières années comme matériau potentiellement promoteur d'améliorer des applications en micro et nanoélectronique (Claeys & Simoen, 2007[Claeys, C. & Simoen, E. (2007). Germanium-Based Technologies - From Materials to Devices. Amsterdam: Elsevier.]). Ceci est du en grande partie à sa grande mobilité d'électrons et de trous. (Claeys et al., 2010[Claeys, C., Mitard, J., Eneman, G., Meuris, M. & Simoen, E. (2010). Thin Solid Films, 518, 2301-2306.]). En effet, le dopage du germanium peut affecter ses performances pour de futur applications électroniques, plus particulièrement l'anti­moine Sb, un dopant de type-n qui connait une attention particulière pour sa ultra-faible résistivité (Xu, et al., 2016[Xu, C., Senaratne, C. L., Sims, P., Kouvetakis, J. & Menéndez, J. (2016). Appl. Mater. Interfaces, 8, 23810-23819.]) et pour ces grandes performances n-MOSFET (Thareja et al., 2010[Thareja, G., Liang, J., Chopra, S., Adams, B., Patil, N., Cheng, S. L., Nainani, A., Tasyurek1, E., Kim, Y., Moffatt, S., Brennan, R., McVittie, J., Kamins, T., Saraswat, K. & Nishi, Y. (2010). International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 245-248.]); d'où la nécessité de synthétiser des monocristaux Ge/Sb appropriés (Sheikhi et al., 2016[Sheikhi, A., Yousefi, P. & Balikci, E. (2016). Cryst. Growth Des. 16, 2429-2440.]; Bruno et al., 2010[Bruno, E., Scapellato, G. G., Bisognin, G., Carria, E., Romano, L., Carnera, A. & Priolo, F. (2010). Appl. Phys. Lett. 108, 124902-6.]). L'étude du diagramme Ge-Sb montre la présence d'une seule phase métastable Ge0,5Sb0,5 tétragonale (Giessen & Gautier, 1972[Giessen, B. C. & Borromee-Gautier, C. (1972). J. Solid State Chem. 4, 447-452.]) et une solubilité Sb dans Ge qui varie entre 2.4–2.5 at.% (Okamoto, 2012[Okamoto, H. (2012). J. Phase Equilib. Diffus. 33, 162.]).

2. Commentaire structurelle

L'alliage Ge1–xSbx+0,01 (x ≃ 0,0625) cristallise selon une surstructure (2a × 2a × 2a) de type α-Ge diamant, a = 5,65675 (1) Å (Cooper, 1962[Cooper, A. S. (1962). Acta Cryst. 15, 578-582.]), avec un volume de maille huit fois plus grand dans le groupe d'espace F[\overline{4}]3m. Dans le système binaire Ge–Sb, les critères empiriques établis par Hume–Rothery pour la formation d'une solution solide ne sont pas complétements satisfaits (Rothery & Powell, 1935[Rothery, W. H. & Powell, H. M. (1935). Z. Kristallogr. 91, 23-47.]; Rothery, 1969[Rothery, W. H. (1969). Atomic Theory for Students of Metallurgy. Londres: The Institute of Metals.]; Rothery et al., 1969[Rothery, W. H., Smallman, R. W. & Haworth, C. W. (1969). The Structure of Metals and Alloys. Londres: The Institute of Metals.]), en particulier le premier critère qui spécifie que la différence de taille entre les deux atomes ne doit pas dépasser les 15% [r(Ge) = 1.23 Å et r(Sb) = 1,41 Å; Emsley, 1998[Emsley, J. (1998). The Elements. Oxford: Clarendon Press.]]; ainsi la formation de surstructure est plutôt favorable (Rothery & Powell, 1935[Rothery, W. H. & Powell, H. M. (1935). Z. Kristallogr. 91, 23-47.]). Dans cette surstructure les atomes de Ge sont caractérisés, comme dans la structure de base, par de fortes liaisons covalentes et un environnement tétraédrique régulier (Fig. 1[link]). Les distances Ge—Ge varient entre 2,437 (2)–2,444 (2) Å, et sont proches de celles observées dans la structure α-Ge type diamant (Emsley, 1998[Emsley, J. (1998). The Elements. Oxford: Clarendon Press.]). L'atome Ge3 fait exception et posséde une coordinence plus élevée CN = 5 (bipyramide trigonale) par la présence de liaison Ge3—Sb2 (Fig. 2[link]). Les études les plus récentes basées sur des méthodes dites ab initio montrent que lors du dopage du germanium par des atomes de type-n (tels que Sb, As et P), la position de substitution ainsi que la position tétraédrique d'insertion sont énergétiquement plus favorable (Maeta & Sueoka, 2014[Maeta, T. & Sueoka, K. (2014). J. Appl. Phys. 116, 073505-9.]; Sluydts et al., 2017[Sluydts, M., Pieters, M., Vanhellemont, J., Van Speybroeck, V. & Cottenier, S. (2017). Chem. Mater. 29, 975-984.]), alors que la position de l'inter­stitiel dissocié (110) est plutôt favorable pour du germanium en auto-insertion (Moreira et al., 2004[Moreira, M. D., Miwa, R. H. & Venezuela, P. (2004). Phys. Rev. B, 70, 115215-5.]). L'atome d'anti­moine Sb1 occupe la position 4a par substitution totale d'un atome de Ge, alors que l'atome Sb2 occupe partiellement la position tétraédrique (T) d'insertion 4c (ou 4d) (Fig. 1[link]). Les atomes Sb dopants possèdent ainsi une coordinence tétraédrique avec de fortes liaisons covalentes comparables à celles des atomes Ge. Les distances Ge—Sb qui varient entre 2,435 (2)–2,448 (2) Å sont légèrement inférieures à la somme des rayons covalents 2,63 Å (Emsley, 1998[Emsley, J. (1998). The Elements. Oxford: Clarendon Press.]), ce qui implique de fortes inter­actions. L'atome Sb2 se distingue par une deuxième sphère de coordination octa­édrique non distordue avec des distances Sb2—Ge2 de 2,8194 (9) Å, légèrement supérieures à la somme des rayons covalents, mais qui restent toutefois inférieures à la somme des rayons de van der Waals, i.e. 4,17 Å (Bondi, 1964[Bondi, A. (1964). J. Phys. Chem. 68, 441-451.]), indiquant de faibles inter­actions. Cet atome Sb2 peut être ainsi caractérisé par une coordinance CN = 4 + 6 = 10 et des anti­prismes carrés à faces coiffés (Fig. 2[link]). De courtes distances Sb—Sb ne sont pas observées, ce qui suggère que ces atomes préfèrent s'isoler dans le germanium sans former d'agglomérats. Cette tendance conforte le fait que les atomes Sb2 semblent mouvoir ou diffuser entre deux sites tétraédriques (T) adjacents (Fig. 3[link]); phénomène déjà observé lors de l'étude par DFT du dopage du Ge par l'Al (Shi et al., 2016[Shi, W., Wu, S., Shi, J., Jin, W. & Yin, G. (2016). Int. J. Electrochem. Sci. 11, 559-565.]), ou dans le cas du dopage du Si par les métaux de transitions (Matsukawa et al., 2007[Matsukawa, K., Shirai, K., Yamaguchi, H. & Katayama-Yoshida, H. (2007). Physica B, 401-402, 151-154.]). Enfin, comme observé dans la structure de base α-Ge diamant, on note un comportement isotrope de l'agitation thermique (ADP's) des atomes, toute fois cette ADP's est plus importante pour les atomes d'anti­moine.

[Figure 1]
Figure 1
Structure de Ge1–xSbx+0,01 (x ≃ 0,0625) montrant l'enchaînement des tètraèdres de coordination (gauche), et la position des atomes dopand Sb (droite). Pour plus de clareté, les ellipsoīdes de déplacement sont montrées à 95% de probabilité pour Ge et à 50% de probabilité pour Sb.
[Figure 2]
Figure 2
Polyèdres de coordination des atomes Sb2 (gauche) et Ge3 (droite) dans la structure de Ge1–xSbx+0,01 (x ≃ 0,0625). Les ellipsoīdes de déplacement sont montrées à 95% de probabilité pour Ge et à 50% de probabilité pour Sb.
[Figure 3]
Figure 3
Mouvement des atomes Sb2 entre deux sites tétraédriques (T) adjacents. Les ellipsoīdes de déplacement sont montrées à 95% de probabilité pour Ge et à 50% de probabilité pour Sb.

3. Enquête de base de données

Dans le systeme Ge–Sb, un examen bibliographique montre l'existence d'une seule phase Ge0.5Sb0.5 (Giessen & Gautier 1972[Giessen, B. C. & Borromee-Gautier, C. (1972). J. Solid State Chem. 4, 447-452.]), dont la coordinence des atomes (CN = 4 + 2) peut être interprétée comme étant intermédiaire entre celle observée dans les structures de Sb (CN = 3 + 3) et de α-Ge (CN = 4 + 12). Cette recherche montre aussi l'existence de solutions solide dans α-Ge, comme c'est le cas dans les systemes Ge–Si (Dismukes et al., 1964[Dismukes, J. P., Ekstrom, L. & Paff, R. J. (1964). J. Phys. Chem. 68, 3021-3027.]) ou dans Ge–Sn (Chizmeshya et al., 2003[Chizmeshya, A. V. G., Bauer, M. R. & Kouvetakis, J. (2003). Chem. Mater. 15, 2511-2519.]), alors que dans le cas de Ge–Sb ce n'est réalisable que par mécanosynthèse; le cas de l'alliage Ge34Sb66 (Rebelo et al., 2013[Rebelo, Q. H. F., Cotta, E. A., de Souza, S. M., Trichês, D. M., Machado, K. D., de Lima, J. C., Grandi, T. A., Poffo, C. M. & Manzato, L. (2013). J. Alloys Compd. 575, 80-85.]).

4. Synthèse et cristallisation

Les monocristaux de l'alliage Ge1–xSbx+0,01 (x ≃ 0,0625) ont été obtenus par la méthode de transport en phase vapeur lors des essais de synthèse du clathrate I8Sb10Ge36 (Kars et al., 2010[Kars, M., Roisnel, T., Dorcet, V., Rebbah, A. & Otero-Diáz, L. C. (2010). Acta Cryst. E66, i47.]) à partir d'un mélange d'éléments purs et à une température de 1100 K pendant environ une semaine. L'anal­yse chimique par spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (EDX Oxford Instruments) sur MET de plusieurs cristaux, confirme la présence des deux éléments Ge et Sb (Fig. 4[link]).

[Figure 4]
Figure 4
Spectre d'analyse par MET confirmant la présence des deux éléments chimiques attendus Ge et Sb.

5. Affinement

La structure a été résolue, dans le groupe d'espace F[\overline{4}]3m (sous-groupe de Fd[\overline{3}]m de α-Ge diamant) grâce à l'algorithme charge flipping implanté dans le logiciel SUPERFLIP (Palatinus & Chapuis, 2007[Palatinus, L. & Chapuis, G. (2007). J. Appl. Cryst. 40, 786-790.]). Les détails de données cristallines, collection de données et affinement sont résumés dans le tableau 1[link]. Une synthèse de Fourier-différence révèle la présence de deux pics d'intensité équivalente ρmax = 8,34 et 8,17 e Å−3 situés à des distances inter­atomiques des atomes Ge3, ce qui a permis de localiser les atomes Sb2 dans deux sites tétraédriques 4c et 4d. Le meilleur résultat est obtenu avec des atomes Sb2 occupant ces deux sites séparément et conduisant à un faible taux d'occupation de 16%. Les atomes de Sb2 sont probablement distribués de manière statistique sur ces deux sites, mais les essais de paramétrer ce désordre sur ces deux sites ont échoués, ce qui explique en partie la carte de densité électronique obtenue en fin d'affinement: ρmax = 3,59 e Å−3 (localisée à 2,45 Å de Ge3) et ρmin = 1,54 e Å−3 (localisée à 1,11 Å de Sb2). La composition de l'alliage obtenue en fin d'affinement Ge (at%) = 92,81; Sb (at%) = 7,19] est proche de celle déduite par analyse chimique par MET [Ge (at%) = 92,02; Sb (at%) = 7,98] . L'affinement du paramétre de Flack (1983[Flack, H. D. (1983). Acta Cryst. A39, 876-881.]) suggère la prèsence d'une macle par inversion, la fraction en volume des composants est 0,56 (11):0,44 (11).

Tableau 1
Détails expérimentaux

Données crystallines
Formule chimique Ge0,9375Sb0,0725
Mr 4921,1
Système cristallin, groupe d'espace Cubic, F[\overline{4}]3m
Température (K) 293
a (Å) 11,276 (4)
V3) 1433,6 (10)
Z 64
Type de rayonnement Mo Kα
μ (mm−1) 33,03
Taille des cristaux (mm) 0,48 × 0,37 × 0,16
 
Collection de données
Diffractomètre Bruker APEXII
Correction d'absorption Multi-scan (SADABS; Sheldrick, 2002[Sheldrick, G. M. (2002). SADABS. University of Gōttingen, Allemagne.])
Tmin, Tmax 0,001, 0,005
Nombre de réflexions mesurées, indépendantes et observées [I > 3σ(I)] reflections 3308, 229, 123
Rint 0,079
(sin θ/λ)max−1) 0,681
 
Affinement
R[F > 3σ(F)], wR(F), S 0,058, 0,087, 1,79
Nombre de réflexions 229
Nombre de paramètres 16
Δρmax, Δρmin (e Å−3) 3,59, −1,23
Absolute structure Flack (1983[Flack, H. D. (1983). Acta Cryst. A39, 876-881.]), 99 paires de Friedel
Structure absolue Paramètre de structure absolue 0.44 (11)
Programmes informatiques:: APEX2 (Bruker, 2006[Bruker (2006). APEX2 and SAINT . Bruker AXS Inc., Madison, Wisconsin, EU.]), SUPERFLIP (Palatinus & Chapuis, 2007[Palatinus, L. & Chapuis, G. (2007). J. Appl. Cryst. 40, 786-790.]), JANA2000 (Petříček et al., 2014[Petříček, V., Dušék, M. & Palatinus, L. (2014). Z. Kristallogr. 229, 345-352.]) et DIAMOND (Brandenburg & Putz, 2009[Brandenburg, K. & Putz, H. (2009). DIAMOND. Crystal Impact GbR, Bonn, Allemagne.]).

Supporting information


Computing details top

Data collection: APEX2 (Bruker, 2006); cell refinement: APEX2 (Bruker, 2006); data reduction: APEX2 (Bruker, 2006); program(s) used to solve structure: SUPERFLIP (Palatinus & Chapuis, 2007); program(s) used to refine structure: JANA2000 (Petříček et al., 2014); molecular graphics: DIAMOND (Brandenburg & Putz, 2009); software used to prepare material for publication: JANA2000 (Petříček et al., 2014).

Antimony-doped germanium top
Crystal data top
Ge0.9375Sb0.0725Dx = 5.698 Mg m3
Mr = 4921.1Mo Kα radiation, λ = 0.71073 Å
Cubic, F43mCell parameters from 568 reflections
Hall symbol: F -4 2 3θ = 3.1–26.7°
a = 11.276 (4) ŵ = 33.03 mm1
V = 1433.6 (10) Å3T = 293 K
Z = 64Prismatic, black
F(000) = 21570.48 × 0.37 × 0.16 mm
Data collection top
Bruker APEXII
diffractometer
229 independent reflections
Radiation source: x-ray tube123 reflections with I > 3σ(I)
Graphite monochromatorRint = 0.079
CCD rotation images, thin slices scansθmax = 29.0°, θmin = 3.1°
Absorption correction: multi-scan
(SADABS; Sheldrick, 2002)
h = 1415
Tmin = 0.001, Tmax = 0.005k = 1515
3308 measured reflectionsl = 1413
Refinement top
Refinement on F(Δ/σ)max = 0.0001
R[F > 3σ(F)] = 0.058Δρmax = 3.59 e Å3
wR(F) = 0.087Δρmin = 1.23 e Å3
S = 1.79Extinction correction: B-C type 1 Gaussian isotropic (Becker & Coppens, 1974)
229 reflectionsExtinction coefficient: 84 (8)
16 parametersAbsolute structure: 99 of Friedel pairs used in the refinement
Weighting scheme based on measured s.u.'s w = 1/(σ2(F) + 0.0001F2)Absolute structure parameter: 0.44 (11)
Special details top

Refinement. The refinement was carried out against all reflections. The conventional R-factor is always based on F. The goodness of fit as well as the weighted R-factor are based on F and F2 for refinement carried out on F and F2, respectively. The threshold expression is used only for calculating R-factors etc. and it is not relevant to the choice of reflections for refinement. The crystal studied was twinned by inversion with a refined twin domain fraction of 0.56 (11):0.44 (11). The overlaps of reflection between the twin domains were calculated by Jana2000 software using the twinning matrix and user- defined treshold 0.1° for full overlap and 0.3° for full separation. Due to no support for twinning in the official CIF dictionary the twinning matrix has been saved in the CIF file using special _jana_cell_twin_matrix keyword. The program used for refinement, Jana2000, uses the weighting scheme based on the experimental expectations, see _refine_ls_weighting_details, that does not force S to be one. Therefore the values of S are usually larger than the ones from the SHELX program.

Fractional atomic coordinates and isotropic or equivalent isotropic displacement parameters (Å2) top
xyzUiso*/UeqOcc. (<1)
Sb10000.0141 (6)
Ge10.12476 (19)0.12476 (19)0.37524 (19)0.0032 (8)
Ge20.250.250.49996 (8)0.0026 (8)
Ge30.12467 (18)0.12467 (18)0.12467 (18)0.0033 (8)
Ge4000.50.0039 (8)
Sb20.250.250.250.0141 (6)0.162 (19)
Atomic displacement parameters (Å2) top
U11U22U33U12U13U23
Sb10.0141 (11)0.0141 (11)0.0141 (11)000
Ge10.0032 (14)0.0032 (14)0.0032 (14)0.00013 (17)0.00013 (17)0.00013 (17)
Ge20.0027 (14)0.0027 (14)0.0025 (15)0.0000 (2)00
Ge30.0033 (14)0.0033 (14)0.0033 (14)0.00019 (18)0.00019 (18)0.00019 (18)
Ge40.0039 (14)0.0039 (14)0.0039 (14)000
Sb20.0141 (11)0.0141 (11)0.0141 (11)000
Geometric parameters (Å, º) top
Sb1—Ge32.435 (2)Ge1—Ge2v2.443 (2)
Sb1—Ge3i2.435 (2)Ge1—Ge42.437 (2)
Sb1—Ge3ii2.435 (2)Ge2—Ge3vi2.444 (2)
Sb1—Ge3iii2.435 (2)Ge2—Ge3vii2.444 (2)
Ge1—Ge22.443 (2)Ge2—Sb2viii2.8194 (9)
Ge1—Ge2iv2.443 (2)Ge3—Sb22.448 (2)
Ge3—Sb1—Ge3i109.47 (7)Ge2xv—Sb2—Ge2xvii90
Ge3—Sb1—Ge3ii109.47 (7)Ge2xv—Sb2—Ge3125.26 (5)
Ge3—Sb1—Ge3iii109.47 (7)Ge2xv—Sb2—Ge3xviii54.74 (5)
Ge3i—Sb1—Ge3109.47 (7)Ge2xv—Sb2—Ge3xix125.26 (5)
Ge3i—Sb1—Ge3ii109.47 (7)Ge2xv—Sb2—Ge3xx54.74 (5)
Ge3i—Sb1—Ge3iii109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge2xv180
Ge3ii—Sb1—Ge3109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge2xvi90
Ge3ii—Sb1—Ge3i109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge2xi90
Ge3ii—Sb1—Ge3iii109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge2xii90
Ge3iii—Sb1—Ge3109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge2xvii90
Ge3iii—Sb1—Ge3i109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge354.74 (5)
Ge3iii—Sb1—Ge3ii109.47 (7)Ge2x—Sb2—Ge3xviii125.26 (5)
Ge2—Ge1—Ge2iv109.36 (8)Ge2x—Sb2—Ge3xix54.74 (5)
Ge2—Ge1—Ge2v109.36 (8)Ge2x—Sb2—Ge3xx125.26 (5)
Ge2—Ge1—Ge4109.59 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge2xv90
Ge2iv—Ge1—Ge2109.36 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge2x90
Ge2iv—Ge1—Ge2v109.36 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge2xi90
Ge2iv—Ge1—Ge4109.59 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge2xii180
Ge2v—Ge1—Ge2109.36 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge2xvii90
Ge2v—Ge1—Ge2iv109.36 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge3125.26 (5)
Ge2v—Ge1—Ge4109.59 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge3xviii125.26 (5)
Ge1—Ge2—Ge1ix109.70 (8)Ge2xvi—Sb2—Ge3xix54.74 (5)
Ge1—Ge2—Ge3vi109.35 (7)Ge2xvi—Sb2—Ge3xx54.74 (5)
Ge1—Ge2—Ge3vii109.35 (7)Ge2xi—Sb2—Ge2xv90
Ge1—Ge2—Sb2viii125.15 (5)Ge2xi—Sb2—Ge2x90
Ge1ix—Ge2—Ge1109.70 (8)Ge2xi—Sb2—Ge2xvi90
Ge1ix—Ge2—Ge3vi109.35 (7)Ge2xi—Sb2—Ge2xii90
Ge1ix—Ge2—Ge3vii109.35 (7)Ge2xi—Sb2—Ge2xvii180
Ge1ix—Ge2—Sb2viii125.15 (5)Ge2xi—Sb2—Ge354.74 (5)
Ge3vi—Ge2—Ge3vii109.74 (8)Ge2xi—Sb2—Ge3xviii125.26 (5)
Ge3vi—Ge2—Sb2viii54.87 (5)Ge2xi—Sb2—Ge3xix125.26 (5)
Ge3vii—Ge2—Ge3vi109.74 (8)Ge2xi—Sb2—Ge3xx54.74 (5)
Ge3vii—Ge2—Sb2viii54.87 (5)Ge2xii—Sb2—Ge2xv90
Sb1—Ge3—Ge2x109.61 (8)Ge2xii—Sb2—Ge2x90
Sb1—Ge3—Ge2xi109.61 (8)Ge2xii—Sb2—Ge2xvi180
Sb1—Ge3—Ge2xii109.61 (8)Ge2xii—Sb2—Ge2xi90
Sb1—Ge3—Sb2180Ge2xii—Sb2—Ge2xvii90
Ge2x—Ge3—Ge2xi109.34 (8)Ge2xii—Sb2—Ge354.74 (5)
Ge2x—Ge3—Ge2xii109.34 (8)Ge2xii—Sb2—Ge3xviii54.74 (5)
Ge2x—Ge3—Sb270.39 (6)Ge2xii—Sb2—Ge3xix125.26 (5)
Ge2xi—Ge3—Ge2x109.34 (8)Ge2xii—Sb2—Ge3xx125.26 (5)
Ge2xi—Ge3—Ge2xii109.34 (8)Ge2xvii—Sb2—Ge2xv90
Ge2xi—Ge3—Sb270.39 (6)Ge2xvii—Sb2—Ge2x90
Ge2xii—Ge3—Ge2x109.34 (8)Ge2xvii—Sb2—Ge2xvi90
Ge2xii—Ge3—Ge2xi109.34 (8)Ge2xvii—Sb2—Ge2xi180
Ge2xii—Ge3—Sb270.39 (6)Ge2xvii—Sb2—Ge2xii90
Ge1—Ge4—Ge1xiii109.47 (7)Ge2xvii—Sb2—Ge3125.26 (5)
Ge1—Ge4—Ge1xiv109.47 (7)Ge2xvii—Sb2—Ge3xviii54.74 (5)
Ge1—Ge4—Ge1ii109.47 (7)Ge2xvii—Sb2—Ge3xix54.74 (5)
Ge1xiii—Ge4—Ge1109.47 (7)Ge2xvii—Sb2—Ge3xx125.26 (5)
Ge1xiii—Ge4—Ge1xiv109.47 (7)Ge3—Sb2—Ge3xviii109.47 (7)
Ge1xiii—Ge4—Ge1ii109.47 (7)Ge3—Sb2—Ge3xix109.47 (7)
Ge1xiv—Ge4—Ge1109.47 (7)Ge3—Sb2—Ge3xx109.47 (7)
Ge1xiv—Ge4—Ge1xiii109.47 (7)Ge3xviii—Sb2—Ge3109.47 (7)
Ge1xiv—Ge4—Ge1ii109.47 (7)Ge3xviii—Sb2—Ge3xix109.47 (7)
Ge1ii—Ge4—Ge1109.47 (7)Ge3xviii—Sb2—Ge3xx109.47 (7)
Ge1ii—Ge4—Ge1xiii109.47 (7)Ge3xix—Sb2—Ge3109.47 (7)
Ge1ii—Ge4—Ge1xiv109.47 (7)Ge3xix—Sb2—Ge3xviii109.47 (7)
Ge2xv—Sb2—Ge2x180Ge3xix—Sb2—Ge3xx109.47 (7)
Ge2xv—Sb2—Ge2xvi90Ge3xx—Sb2—Ge3109.47 (7)
Ge2xv—Sb2—Ge2xi90Ge3xx—Sb2—Ge3xviii109.47 (7)
Ge2xv—Sb2—Ge2xii90Ge3xx—Sb2—Ge3xix109.47 (7)
Symmetry codes: (i) y, x, z; (ii) x, y, z; (iii) y, x, z; (iv) x, z+1/2, y+1/2; (v) z+1/2, x+1/2, y; (vi) y+1/2, x, z+1/2; (vii) y, x+1/2, z+1/2; (viii) x+1/2, y+1/2, z+1; (ix) x+1/2, y+1/2, z; (x) y1/2, x, z+1/2; (xi) x1/2, z+1/2, y; (xii) z+1/2, x, y1/2; (xiii) y, x, z+1; (xiv) z1/2, x, y+1/2; (xv) x1/2, y1/2, z1; (xvi) z1, x1/2, y1/2; (xvii) x, z1, y; (xviii) y, x1/2, z1/2; (xix) x1/2, y1/2, z; (xx) y1/2, x, z1/2.
 

Références

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