Select an author name for summary details of all published papers in this issue; select an individual page number to access a paper.
Aoki, J., p. 778
Baker, E. N., p. 793
Baretta, K., p. 790
Beck, J. R., p. 832
Becker, S., p. 751
Bhattacharyya, S., p. 786
Boulanger, M. J., p. 832
Bradley, P. J., p. 832
Brieba, L. G., p. 783
Brown, S., p. 832
Buysschaert, G., p. 771
Chang, C.-H., p. 810
Chang, M.-C., p. 810
Chen, S., p. 767
Chen, S.-C., p. 810
Chen, Y., p. 810
Chen, Z., p. 798
Cheong, C., p. 813
Cheong, H.-K., p. 813
Choi, S., p. 813
Coombs, G. H., p. 738
Cooper, A., p. 835
Corsico, B., p. 835
Das, A. K., p. 786
Deng, K., p. 829
Ding, J., p. 760
Do, H., p. 806
Dutta, D., p. 786
Fan, H., p. 839
Fyfe, P. K., p. 738
Gabrielsen, M., p. 835
Gao, F., p. 829, 839
Gao, Y., p. 775
Garcia-Orozco, K. D., p. 783
Garen, C., p. 790
Gong, W., p. 829, 839
Griffiths, K., p. 835
Grosse, C., p. 751
Haire, L. F., p. 816
Han, L., p. 802
Han, Y.-H., p. 813
Henrick, K., p. 744
Himmel, S., p. 751
Hirshberg, M., p. 744
Hosokawa, A., p. 757
Howell, P. L., p. 842
Hu, X., p. 767
Huang, C.-H., p. 810
Huang, Y.-H., p. 810
Hunter, W. N., p. 738
Hwang, E., p. 813
Inaka, K., p. 757
Isac-Martinez, F., p. 783
Ishitani, R., p. 778
James, M. N. G., p. 790
Jeon, Y. H., p. 813
Kao, C.-H., p. 810
Kato, H., p. 757
Kato, K., p. 778
Kennedy, M. W., p. 835
Kim, H.-Y., p. 813
Kim, H. J., p. 806, 813
Kreikemeyer, B., p. 793
Kuan, S.-M., p. 810
Lallemand, L. A., p. 824
Lee, J. H., p. 806
Lee, S. G., p. 806
Lee, W. C., p. 813
Li, P., p. 798
Li, X., p. 775
Linke, C., p. 793
Little, D. J., p. 842
Liu, G., p. 798
Liu, X., p. 802
Liu, Y., p. 767
Liu, Z., p. 802
Lopez-Zavala, A. A., p. 783
McCarthy, A. A., p. 824
McCarthy, J. G., p. 824
McSweeney, S., p. 824
Middleditch, M. J., p. 793
Mihara, E., p. 778
Müller, S., p. 738
Nakano, H., p. 757
Nakatsu, T., p. 757
Nishimasu, H., p. 778
Nitz, M., p. 842
Niu, L., p. 775
Nureki, O., p. 778
Ohta, K., p. 757
Owens, R. J., p. 730
Prag, G., p. 820
Qin, X., p. 798
Qiu, D., p. 802
Ramos, T., p. 738
Ren, J., p. 730
Rey-Burusco, M. F., p. 835
Rittinger, K., p. 816
Robinson, H., p. 842
Roe, A. J., p. 835
Rudiño-Piñera, E., p. 783
Sainsbury, S., p. 730
Saunders, N. J., p. 730
Savvides, S. N., p. 771
Schwiegk, C., p. 751
Siemens, N., p. 793
Smith, B. O., p. 835
Sotelo-Mundo, R. R., p. 783
Stieglitz, B., p. 816
Stuart, D. I., p. 730
Su, Y.-C., p. 810
Sun, W., p. 839
Sun, Z., p. 829, 839
Tagawa, R., p. 757
Takagi, J., p. 778
Tanner, N., p. 820
Tao, Y., p. 764
Teng, M., p. 775
Tonkin, M. L., p. 832
Vergauwen, B., p. 771
Verstraete, K., p. 771
Wang, D.-C., p. 760
Wang, K., p. 767
Wang, X., p. 760, 775
Watanabe, K., p. 757
Westrop, G. D., p. 738
Whitney, J. C., p. 842
Wolff, S., p. 751
Wu, M., p. 764
Xu, T., p. 798
Xu, X., p. 760
Yang, C.-S., p. 810
Yin, J., p. 790
Yip, P., p. 842
Yuan, Y., p. 775
Zang, J., p. 764
Zhang, D., p. 764
Zheng, P., p. 829
Zhou, X., p. 764
Copyright © International Union of Crystallography
IUCr Webmaster