


Supporting information
![]() | Crystallographic Information File (CIF) https://doi.org/10.1107/S1600536810017496/br2144sup1.cif |
![]() | Structure factor file (CIF format) https://doi.org/10.1107/S1600536810017496/br2144Isup2.hkl |
Key indicators
- Single-crystal X-ray study
- T = 150 K
- Mean
() = 0.000 Å
- Disorder in main residue
- R factor = 0.037
- wR factor = 0.091
- Data-to-parameter ratio = 55.7
checkCIF/PLATON results
No syntax errors found
Alert level A GEOM006_ALERT_1_A _geom_angle_atom_site_label_2 is missing Label identifying the atom site 2. GEOM007_ALERT_1_A _geom_angle_atom_site_label_3 is missing Label identifying the atom site 3.
Alert level C PLAT935_ALERT_2_C Large Value of Calc. Pseudo Extinction Parameter 0.12 PLAT041_ALERT_1_C Calc. and Reported SumFormula Strings Differ ? PLAT045_ALERT_1_C Calculated and Reported Z Differ by ............ 48.00 Ratio PLAT068_ALERT_1_C Reported F000 Differs from Calcd (or Missing)... ? PLAT077_ALERT_4_C Unitcell contains non-integer number of atoms .. ? PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- GE1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I1 -- SB1 .. 3.60 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- SB1 .. 3.66 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE3 .. 3.85 Ang. PLAT774_ALERT_1_C Suspect X-Y Bond in CIF: I2 -- GE3 .. 3.85 Ang. PLAT912_ALERT_4_C Missing # of FCF Reflections Above STh/L= 0.600 2
Alert level G PLAT301_ALERT_3_G Note: Main Residue Disorder ................... 45.00 Perc. PLAT860_ALERT_3_G Note: Number of Least-Squares Restraints ....... 3 PLAT808_ALERT_5_G No Parseable SHELXL Style Weighting Scheme Found ! PLAT811_ALERT_5_G No ADDSYM Analysis: Too Many Excluded Atoms .... ! PLAT929_ALERT_5_G No Weight Pars,Obs and Calc R1,wR2,S not checked !
2 ALERT level A = In general: serious problem 0 ALERT level B = Potentially serious problem 54 ALERT level C = Check and explain 5 ALERT level G = General alerts; check 53 ALERT type 1 CIF construction/syntax error, inconsistent or missing data 1 ALERT type 2 Indicator that the structure model may be wrong or deficient 2 ALERT type 3 Indicator that the structure quality may be low 2 ALERT type 4 Improvement, methodology, query or suggestion 3 ALERT type 5 Informative message, check
La synthèse de monocristaux de I8Sb10Ge36 a été réalisée par la méthode de transport en phase vapeur à partir d'un mélange d'éléments purs. Le mélange broyé puis scellé dans un tube en quartz, est porté à une température de 1100 K pendant environ une semaine.
La structure a été déterminée par isotypie aux clathrates-I dans le groupe d'espace Pm3n avec une occupation statistique des sites 6c, 16i et 24k par les atomes de germanium et d'antimoine. Tous les sites mixtes Ge/Sb ont été affinés avec une contrainte d'occupation totale égale à l'unité. Les sites 2a et 6d sont occupés totalement par les atomes d'iode. La composition du clathrate obtenue en fin d'affinement I8Sb9.77Ge36.23 [Ge(at.%) = 67.09; Sb(at.%) = 18.09; I(at.%) = 14.81] est proche de celle déduite par analyse chimique au MEB [Ge(at.%) = 65.19; Sb(at.%) = 18.88; I(at.%) = 15.93].
Les clathrates semiconducteurs de formulation X8Ge38A8 (X: Cl, Br, I; A: P, As, Sb) (Menke & von Schnering, 1973; von Schnering & Menke, 1976) constituent les premiers clathrates à sous réseau hôte anionique et à réseau d'accueil mixte et cationique. Les structures de ces clathrates ont été déterminées par isotypie aux hydrates de gaz correspondants (Pauling & Marsh, 1952). De plus au cours d'essais de synthèse du clathrate vide Ge46, une phase qui correspond à I8Ge46-xIx (x = 8/3) avait été obtenue de manière inattendue (Nesper et al., 1986). Ces composés ont connus un regain d'intérêt au cours de ces dernières années, essentiellement en raison de leurs propriétés semi-conductrices (Chu et al., 1982), thermoélectriques (Kishimoto et al., 2006) et de conductivités thermique très prometteuses (Shimizu et al., 2009). L'histoire et les derniers développements des composés type clathrate du silicium et des éléments apparentés de la colonne 14 ont été relatés récement dans un étendu article par Cros & Pouchard (2009). Le composé I8Sb10Ge36 est décrit par la juxtaposition de deux types de polyèdres: les dodécaèdres pentagonaux (Ge, Sb)20 et les tétrakaïdècaèdres (Ge, Sb)24. Les atomes d'iode se logent au centre des cavités formées par ces polyèdres. Les atomes clathrands possédent une coordination tétraédriques avec des distances [2.5032 (3)–2.5562 (6) Å] comparables à celles obtenues dans les composés clathrates Ge14Ga12Sb20I8 [2.5792 (4)–2.6836 (3) Å] (von Schnering & Menke, 1976) et dans Ba8Ga17.134Sb2.78Ge25.595 [2.462 (3)–2.5791 (3) Å] (Latturner et al., 2000). Enfin, il faut remarquer que comme pour le composé I8As21Ge25 (Ayouz et al., 2009) l'agitation thermique (ADP's) autour de l'atome I2 (site 6d) est comparable à celles des autres atomes constituants le clathrate, ce n'est pas le cas de nombreux composés clathrates au germanium où l'agitation thermique autour de X2 est beaucoup plus large: X8Ga16Ge30 (X: Sr, Eu) (Nolas et al., 2000) et Ge40.0Te5.3I8 (Kovnir et al., 2006).
La synthèse en phase vapeur des premiers clathrates X8Ge38A8 (X = Cl, Br, I; A = P, As, Sb) etait décrite par Menke & von Schnering (1973) et von Schnering & Menke (1976). Les structures sont isotypes aux hydrates de gaz correspondants (Pauling & Marsh, 1952). Pour les propriétés semiconductrices et thermoélectriques, voir respectivement Chu et al. (1982) et Kishimoto et al. (2006). Pour les propriétés structurales et la conductivité thermique, voir Nolas et al. (2000) et Shimizu et al. (2009). L'histoire et les développements récents des composés type clathrate du silicium et des éléments de la colonne 14 ont été relatés par Cros & Pouchard (2009). L'étude par diffraction électronique et HRTEM du clathrate Ge40.0Te5.3I8 a été réalisée par Kovnir et al. (2006). Pour autres composés type clathrate du germanium, voir Ayouz (2009); Latturner et al. (2000); Nesper et al. (1986).
Data collection: SAINT (Bruker, 2002); cell refinement: SAINT (Bruker, 2002); data reduction: SAINT (Bruker, 2002); program(s) used to solve structure: SHELXS97 Sheldrick, (2008); program(s) used to refine structure: JANA2000 (Petříček et al., 2000); molecular graphics: DIAMOND (Brandenburg & Putz, 2009); software used to prepare material for publication: JANA2000 (Petříček et al., 2000).
I8Sb10Ge36 | Dx = 6.213 Mg m−3 |
Mr = 4834.8 | Mo Kα radiation, λ = 0.71073 Å |
Cubic, Pm3n | Cell parameters from 6120 reflections |
Hall symbol: -P 4n 2 3 | θ = 2.6–45.3° |
a = 10.8907 (2) Å | µ = 30.49 mm−1 |
V = 1291.72 (3) Å3 | T = 150 K |
Z = 1 | Cubic, black |
F(000) = 2082 | 0.10 × 0.08 × 0.07 mm |
Bruker APEXII diffractometer | 1003 independent reflections |
Radiation source: fine-focus sealed tube | 900 reflections with I > 3σ(I) |
Graphite monochromator | Rint = 0.041 |
CCD rotation images, thin slices scans | θmax = 45.3°, θmin = 2.6° |
Absorption correction: multi-scan (SADABS; Sheldrick, 2002) | h = −21→18 |
Tmin = 0.082, Tmax = 0.116 | k = −21→21 |
27124 measured reflections | l = −20→20 |
Refinement on F | 3 restraints |
R[F > 3σ(F)] = 0.037 | Weighting scheme based on measured s.u.'s w = 1/[σ2(F) + 0.001444F2] |
wR(F) = 0.091 | (Δ/σ)max = 0.0004 |
S = 2.00 | Δρmax = 1.48 e Å−3 |
1003 reflections | Δρmin = −2.97 e Å−3 |
18 parameters |
I8Sb10Ge36 | Z = 1 |
Mr = 4834.8 | Mo Kα radiation |
Cubic, Pm3n | µ = 30.49 mm−1 |
a = 10.8907 (2) Å | T = 150 K |
V = 1291.72 (3) Å3 | 0.10 × 0.08 × 0.07 mm |
Bruker APEXII diffractometer | 1003 independent reflections |
Absorption correction: multi-scan (SADABS; Sheldrick, 2002) | 900 reflections with I > 3σ(I) |
Tmin = 0.082, Tmax = 0.116 | Rint = 0.041 |
27124 measured reflections |
R[F > 3σ(F)] = 0.037 | 18 parameters |
wR(F) = 0.091 | 3 restraints |
S = 2.00 | Δρmax = 1.48 e Å−3 |
1003 reflections | Δρmin = −2.97 e Å−3 |
Refinement. Refinement of F2 against ALL reflections. The weighted R-factor wR and goodness of fit S are based on F2, conventional R-factors are based on F, with F set to zero for negative F2. The threshold expression of F2 > n*σ(F2) is used only for calculating R-factors etc. and is not relevant to the choice of reflections for refinement. The program used for refinement, Jana2000, uses the weighting scheme based on the experimental expectations, see _refine_ls_weighting_details, that does not force S to be one. Therefore the values of S are usually larger then the ones from the SHELX program. |
x | y | z | Uiso*/Ueq | Occ. (<1) | |
I1 | 0 | 0 | 0 | 0.00492 (8) | |
I2 | 0.25 | 0.5 | 0 | 0.00789 (9) | |
Ge1 | 0.11736 (4) | 0 | 0.30899 (4) | 0.00934 (11) | 0.823 (7) |
Ge2 | 0.18365 (2) | 0.18365 (2) | 0.18365 (2) | 0.00749 (8) | 0.699 (8) |
Sb3 | 0.25 | 0 | 0.5 | 0.00867 (17) | 0.118 (11) |
Sb1 | 0.117356 | 0 | 0.308994 | 0.00934 (11) | 0.177 (7) |
Sb2 | 0.18365 | 0.18365 | 0.18365 | 0.00749 (8) | 0.301 (8) |
Ge3 | 0.25 | 0 | 0.5 | 0.00867 (17) | 0.882 (11) |
U11 | U22 | U33 | U12 | U13 | U23 | |
I1 | 0.00492 (14) | 0.00492 (14) | 0.00492 (14) | 0 | 0 | 0 |
I2 | 0.00455 (18) | 0.00956 (15) | 0.00956 (15) | 0 | 0 | 0 |
Ge1 | 0.00836 (18) | 0.00909 (18) | 0.01058 (19) | 0 | −0.00110 (11) | 0 |
Ge2 | 0.00749 (14) | 0.00749 (14) | 0.00749 (14) | 0.00030 (7) | 0.00030 (7) | 0.00030 (7) |
Sb3 | 0.0117 (4) | 0.0071 (3) | 0.0071 (3) | 0 | 0 | 0 |
Sb1 | 0.00836 (18) | 0.00909 (18) | 0.01058 (19) | 0 | −0.00110 (11) | 0 |
Sb2 | 0.00749 (14) | 0.00749 (14) | 0.00749 (14) | 0.00030 (7) | 0.00030 (7) | 0.00030 (7) |
Ge3 | 0.0117 (4) | 0.0071 (3) | 0.0071 (3) | 0 | 0 | 0 |
I1—Ge1 | 3.5997 (4) | I2—Ge1xix | 3.6570 (3) |
I1—Ge1i | 3.5997 (4) | I2—Ge1viii | 3.6570 (3) |
I1—Ge1ii | 3.5997 (4) | I2—Ge1xx | 3.6570 (3) |
I1—Ge1iii | 3.5997 (4) | I2—Ge1xxi | 3.6570 (3) |
I1—Ge1iv | 3.5997 (4) | I2—Ge1xi | 3.6570 (3) |
I1—Ge1v | 3.5997 (4) | I2—Sb3xvi | 3.8504 |
I1—Ge1vi | 3.5997 (4) | I2—Sb3xvii | 3.8504 |
I1—Ge1vii | 3.5997 (4) | I2—Sb3xxii | 3.8504 |
I1—Ge1viii | 3.5997 (4) | I2—Sb3xxiii | 3.8504 |
I1—Ge1ix | 3.5997 (4) | I2—Sb1xvi | 3.657 |
I1—Ge1x | 3.5997 (4) | I2—Sb1xvii | 3.657 |
I1—Ge1xi | 3.5997 (4) | I2—Sb1xviii | 3.657 |
I1—Ge2 | 3.4642 (3) | I2—Sb1xix | 3.657 |
I1—Ge2i | 3.4642 (3) | I2—Sb1viii | 3.657 |
I1—Ge2ii | 3.4642 (3) | I2—Sb1xx | 3.657 |
I1—Ge2iii | 3.4642 (3) | I2—Sb1xxi | 3.657 |
I1—Ge2xii | 3.4642 (3) | I2—Sb1xi | 3.657 |
I1—Ge2xiii | 3.4642 (3) | I2—Ge3xvi | 3.8504 |
I1—Ge2xiv | 3.4642 (3) | I2—Ge3xvii | 3.8504 |
I1—Ge2xv | 3.4642 (3) | I2—Ge3xxii | 3.8504 |
I1—Sb1 | 3.5997 | I2—Ge3xxiii | 3.8504 |
I1—Sb1i | 3.5997 | Ge1—Ge1iii | 2.5562 (6) |
I1—Sb1ii | 3.5997 | Ge1—Ge2 | 2.5269 (4) |
I1—Sb1iii | 3.5997 | Ge1—Ge2xv | 2.5269 (4) |
I1—Sb1iv | 3.5997 | Ge1—Sb3 | 2.5326 (4) |
I1—Sb1v | 3.5997 | Ge1—Sb1iii | 2.5562 (4) |
I1—Sb1vi | 3.5997 | Ge1—Sb2 | 2.5269 (3) |
I1—Sb1vii | 3.5997 | Ge1—Sb2xv | 2.5269 (3) |
I1—Sb1viii | 3.5997 | Ge1—Ge3 | 2.5326 (4) |
I1—Sb1ix | 3.5997 | Ge2—Ge2xxiv | 2.5032 (4) |
I1—Sb1x | 3.5997 | Ge2—Sb1 | 2.5269 (3) |
I1—Sb1xi | 3.5997 | Ge2—Sb1iv | 2.5269 (3) |
I1—Sb2 | 3.4642 | Ge2—Sb1viii | 2.5269 (3) |
I1—Sb2i | 3.4642 | Ge2—Sb2xxiv | 2.5032 (3) |
I1—Sb2ii | 3.4642 | Sb3—Sb1 | 2.5326 |
I1—Sb2iii | 3.4642 | Sb3—Sb1xxv | 2.5326 |
I1—Sb2xii | 3.4642 | Sb3—Sb1xxvi | 2.5326 |
I1—Sb2xiii | 3.4642 | Sb3—Sb1xxvii | 2.5326 |
I1—Sb2xiv | 3.4642 | Sb1—Sb1iii | 2.5562 |
I1—Sb2xv | 3.4642 | Sb1—Sb2 | 2.5269 |
I2—Ge1xvi | 3.6570 (3) | Sb1—Sb2xv | 2.5269 |
I2—Ge1xvii | 3.6570 (3) | Sb1—Ge3 | 2.5326 |
I2—Ge1xviii | 3.6570 (3) | Sb2—Sb2xxiv | 2.5032 |
Symmetry codes: (i) −x, −y, −z; (ii) x, −y, −z; (iii) −x, y, z; (iv) z, x, y; (v) −z, −x, −y; (vi) z, −x, −y; (vii) −z, x, y; (viii) y, z, x; (ix) −y, −z, −x; (x) −y, −z, x; (xi) y, z, −x; (xii) −x, −y, z; (xiii) x, y, −z; (xiv) −x, y, −z; (xv) x, −y, z; (xvi) −y+1/2, x+1/2, z−1/2; (xvii) y+1/2, −x+1/2, −z+1/2; (xviii) y+1/2, x+1/2, −z+1/2; (xix) −y+1/2, −x+1/2, z−1/2; (xx) −y, −z+1, −x; (xxi) −y, −z+1, x; (xxii) z−1/2, −y+1/2, x−1/2; (xxiii) −z+1/2, y+1/2, −x+1/2; (xxiv) −y+1/2, −x+1/2, −z+1/2; (xxv) x, −y, −z+1; (xxvi) −x+1/2, z−1/2, y+1/2; (xxvii) −x+1/2, −z+1/2, y+1/2. |
Experimental details
Crystal data | |
Chemical formula | I8Sb10Ge36 |
Mr | 4834.8 |
Crystal system, space group | Cubic, Pm3n |
Temperature (K) | 150 |
a (Å) | 10.8907 (2) |
V (Å3) | 1291.72 (3) |
Z | 1 |
Radiation type | Mo Kα |
µ (mm−1) | 30.49 |
Crystal size (mm) | 0.10 × 0.08 × 0.07 |
Data collection | |
Diffractometer | Bruker APEXII |
Absorption correction | Multi-scan (SADABS; Sheldrick, 2002) |
Tmin, Tmax | 0.082, 0.116 |
No. of measured, independent and observed [I > 3σ(I)] reflections | 27124, 1003, 900 |
Rint | 0.041 |
(sin θ/λ)max (Å−1) | 0.999 |
Refinement | |
R[F > 3σ(F)], wR(F), S | 0.037, 0.091, 2.00 |
No. of reflections | 1003 |
No. of parameters | 18 |
No. of restraints | 3 |
Δρmax, Δρmin (e Å−3) | 1.48, −2.97 |
Computer programs: SAINT (Bruker, 2002), SHELXS97 Sheldrick, (2008), JANA2000 (Petříček et al., 2000), DIAMOND (Brandenburg & Putz, 2009).
Les clathrates semiconducteurs de formulation X8Ge38A8 (X: Cl, Br, I; A: P, As, Sb) (Menke & von Schnering, 1973; von Schnering & Menke, 1976) constituent les premiers clathrates à sous réseau hôte anionique et à réseau d'accueil mixte et cationique. Les structures de ces clathrates ont été déterminées par isotypie aux hydrates de gaz correspondants (Pauling & Marsh, 1952). De plus au cours d'essais de synthèse du clathrate vide Ge46, une phase qui correspond à I8Ge46-xIx (x = 8/3) avait été obtenue de manière inattendue (Nesper et al., 1986). Ces composés ont connus un regain d'intérêt au cours de ces dernières années, essentiellement en raison de leurs propriétés semi-conductrices (Chu et al., 1982), thermoélectriques (Kishimoto et al., 2006) et de conductivités thermique très prometteuses (Shimizu et al., 2009). L'histoire et les derniers développements des composés type clathrate du silicium et des éléments apparentés de la colonne 14 ont été relatés récement dans un étendu article par Cros & Pouchard (2009). Le composé I8Sb10Ge36 est décrit par la juxtaposition de deux types de polyèdres: les dodécaèdres pentagonaux (Ge, Sb)20 et les tétrakaïdècaèdres (Ge, Sb)24. Les atomes d'iode se logent au centre des cavités formées par ces polyèdres. Les atomes clathrands possédent une coordination tétraédriques avec des distances [2.5032 (3)–2.5562 (6) Å] comparables à celles obtenues dans les composés clathrates Ge14Ga12Sb20I8 [2.5792 (4)–2.6836 (3) Å] (von Schnering & Menke, 1976) et dans Ba8Ga17.134Sb2.78Ge25.595 [2.462 (3)–2.5791 (3) Å] (Latturner et al., 2000). Enfin, il faut remarquer que comme pour le composé I8As21Ge25 (Ayouz et al., 2009) l'agitation thermique (ADP's) autour de l'atome I2 (site 6d) est comparable à celles des autres atomes constituants le clathrate, ce n'est pas le cas de nombreux composés clathrates au germanium où l'agitation thermique autour de X2 est beaucoup plus large: X8Ga16Ge30 (X: Sr, Eu) (Nolas et al., 2000) et Ge40.0Te5.3I8 (Kovnir et al., 2006).